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IGBT模塊 PIM
PIM（Power Integrated Module）是將3相變頻器電路、二極管橋接電路、制動(dòng)電路集成到1個(gè)模塊上的產(chǎn)品，能夠緊湊地設(shè)計(jì)主電路。 根據(jù)電動(dòng)機(jī)容量，將小型輕量的小容量PIM和EconoPIM的兩大類(lèi)系列化。 模塊端子與印刷電路板的連接包含釬焊和無(wú)焊兩種，同時(shí)還準(zhǔn)備了主端子排列不同的產(chǎn)品，能夠滿(mǎn)足各種需求。
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肖特基勢(shì)壘二極管（單管）
從此處查看肖特基勢(shì)壘二極管（單管）的信息
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功率MOSFET 100V-300V
從此處查看功率MOSFET 100V-300V的信息。
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3電平電源轉(zhuǎn)換電路用IGBT模塊
與2電平模塊相比，輸出波形近似正弦波，因此可實(shí)現(xiàn)LC濾波器小型化。另外，開(kāi)關(guān)損耗降低一半，因此效率得以提高。針對(duì)太陽(yáng)能發(fā)電、不間斷電源裝置等用途。 富士電機(jī)提供支持T/I型2種3電平電路的IGBT模塊。特別是，T型AC開(kāi)關(guān)采用本公司特有RB-IGBT（Reverse-Broking）芯片實(shí)現(xiàn)低損耗。
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中耐壓溝槽 系列
從此處查看中耐壓溝槽 系列的信息。
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EV、HEV用IGBT模塊
采用直接水冷銅散熱片基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產(chǎn)品中分別內(nèi)置有6個(gè)IGBT和FWD。此外，還內(nèi)置有用于檢測(cè)溫度的熱敏電阻。
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EV、HEV用IGBT IPM
內(nèi)置有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的EV、HEV用IGBT IPM
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028-8554 0368
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027-8713 9838
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0532-8582 3798
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010-5963 0698
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